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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
11.2
15.6
写入速度,GB/s
8.1
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2837
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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