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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
比较
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Kingston 9905630-031.A00G 16GB
总分
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
总分
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,001.3
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 -132% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
25
读取速度,GB/s
4,796.5
15.5
写入速度,GB/s
2,001.3
10.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
768
2619
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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