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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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规格
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
11.8
17.0
写入速度,GB/s
7.3
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2912
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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