RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2912
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link