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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
比较
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
总分
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
总分
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
44
58
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.6
2,001.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
44
读取速度,GB/s
4,796.5
8.5
写入速度,GB/s
2,001.3
5.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
768
1660
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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