RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
58
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.5
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.6
2,001.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
44
Скорость чтения, Гб/сек
4,796.5
8.5
Скорость записи, Гб/сек
2,001.3
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
768
1660
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link