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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
65
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
31
读取速度,GB/s
6.1
13.6
写入速度,GB/s
4.2
7.3
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2307
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
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Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
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