RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Porównaj
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
985
2307
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link