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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
AMD R9S48G3206U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
65
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
37
读取速度,GB/s
6.1
20.6
写入速度,GB/s
4.2
13.9
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
3518
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
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