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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
65
左右 -160% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
25
读取速度,GB/s
6.1
15.8
写入速度,GB/s
4.2
13.1
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2991
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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