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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
65
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
30
读取速度,GB/s
6.1
17.8
写入速度,GB/s
4.2
15.2
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
3628
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
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