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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
24
读取速度,GB/s
14.2
19.0
写入速度,GB/s
10.0
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3482
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
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