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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
差异
规格
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
33
读取速度,GB/s
11.5
15.1
写入速度,GB/s
6.5
11.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
3224
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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