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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
65
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
32
读取速度,GB/s
6.1
17.4
写入速度,GB/s
4.2
13.3
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
3343
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
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