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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
65
左右 -183% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
23
读取速度,GB/s
6.1
16.8
写入速度,GB/s
4.2
11.8
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2851
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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