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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Kingston 9905622-055.A00G 4GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
117
左右 -388% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
2,303.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
24
读取速度,GB/s
3,094.8
14.5
写入速度,GB/s
2,303.7
9.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
2171
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
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Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
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