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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
34
读取速度,GB/s
6.1
14.9
写入速度,GB/s
4.2
11.4
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2831
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
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