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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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更快的读取速度,GB/s
17
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
65
读取速度,GB/s
6.1
17.0
写入速度,GB/s
4.2
8.7
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
1875
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
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