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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
65
左右 -171% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.9
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
24
读取速度,GB/s
6.1
19.4
写入速度,GB/s
4.2
18.9
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
4219
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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