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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
差异
规格
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
6.1
13.8
写入速度,GB/s
4.2
11.0
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2690
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
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