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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905663-030.A00G 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
17.6
14.9
写入速度,GB/s
12.0
12.6
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2885
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905663-030.A00G 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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