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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
45
读取速度,GB/s
12.7
5.3
写入速度,GB/s
7.5
8.4
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1535
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
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