RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 45
    周辺 38% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 5.3
    テスト平均値
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB 考慮すべき理由
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 5.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 1535

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
メモリRAM