RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
45
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
5.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
5.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
1535
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link