RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
45
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
5.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
5.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
1535
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link