RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de 38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
5.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
45
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
5.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1535
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link