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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

総合得点
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 48
    周辺 -26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.3 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    8.9 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1420 left arrow 2148

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