RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
48
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2148
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link