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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
48
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
38
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2148
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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