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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Pontuação geral
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 11
    Valor médio nos testes
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.1 left arrow 1,519.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 3200
    Por volta de 5.31 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    46 left arrow 46
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,909.8 left arrow 11.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,519.2 left arrow 9.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    241 left arrow 2396

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM

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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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