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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Note globale
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Note globale
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    2 left arrow 11
    Valeur moyenne dans les tests
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.1 left arrow 1,519.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 3200
    Autour de 5.31 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    46 left arrow 46
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,909.8 left arrow 11.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,519.2 left arrow 9.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    241 left arrow 2396

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