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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

总分
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

总分
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 11
    测试中的平均数值
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 1,519.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 3200
    左右 5.31 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    46 left arrow 46
  • 读取速度，GB/s
    2,909.8 left arrow 11.0
  • 写入速度，GB/s
    1,519.2 left arrow 9.1
  • 内存带宽，mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    241 left arrow 2396

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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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内存RAM
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Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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内存RAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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