RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
48
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
38
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2148
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link