RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
48
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
38
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2148
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link