RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
48
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
38
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2148
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link