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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
48
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
38
读取速度,GB/s
8.9
14.2
写入速度,GB/s
5.9
10.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2148
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-023.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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