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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
48
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
38
读取速度,GB/s
8.9
14.2
写入速度,GB/s
5.9
10.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2148
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
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