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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
11.5
14.0
写入速度,GB/s
8.5
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
2519
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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