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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.8
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
47
左右 -18% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
40
读取速度,GB/s
11.8
9.1
写入速度,GB/s
8.0
6.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
1764
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
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