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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
13.9
15.1
写入速度,GB/s
8.6
11.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2382
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
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G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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