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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
34
读取速度,GB/s
6.1
19.9
写入速度,GB/s
4.2
13.9
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
3271
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
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Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
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