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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
34
读取速度,GB/s
6.1
15.1
写入速度,GB/s
4.2
10.4
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2620
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
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SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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