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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
65
左右 -195% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
22
读取速度,GB/s
6.1
15.7
写入速度,GB/s
4.2
7.6
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2388
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
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SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
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