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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
65
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
32
读取速度,GB/s
6.1
16.8
写入速度,GB/s
4.2
12.1
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2641
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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