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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
比较
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
总分
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
54
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
28
读取速度,GB/s
9.4
18.2
写入速度,GB/s
6.7
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1929
3300
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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