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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
比较
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
总分
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
54
左右 -108% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
26
读取速度,GB/s
9.4
19.4
写入速度,GB/s
6.7
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1929
3756
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
UMAX Technology 16GB
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