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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
13.8
16.9
写入速度,GB/s
8.2
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
3285
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM的比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
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