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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
比较
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
总分
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
13.8
16.3
写入速度,GB/s
8.2
11.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
3179
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
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