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Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
比较
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB
总分
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
总分
AMD R538G1601S2LS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
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需要考虑的原因
AMD R538G1601S2LS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.3
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
9.0
11.3
写入速度,GB/s
6.7
8.2
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1165
1793
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB RAM的比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
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