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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
53
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14200
左右 1.35 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
53
读取速度,GB/s
13.9
16.5
写入速度,GB/s
9.6
9.6
内存带宽,mbps
14200
19200
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
2301
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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