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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,833.8
17.2
写入速度,GB/s
2,123.3
14.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3189
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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