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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
14200
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
13.9
11.1
写入速度,GB/s
9.6
6.9
内存带宽,mbps
14200
17000
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
2238
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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