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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
13.9
14.7
写入速度,GB/s
8.4
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2592
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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