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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14200
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
13.9
16.7
写入速度,GB/s
9.6
13.1
内存带宽,mbps
14200
17000
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
3064
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB RAM的比较
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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